幾種原子光譜在原理、檢出限、干擾、線形範圍等方面的區別，ICP/AES與ICP/OES的區別
不同原子光譜技術在原理、檢出限、干擾、線性範圍、儀器價格和適用範圍方面的區別見下表：
| 技術 | 原理 | 檢出限 | 干擾 | 線性範圍 | 儀器價格 | 適用範圍 |
| 原子吸收光譜（AAS） | 利用元素吸收特定波長的光來量化其濃度 | 檢出限較高，一般在ppm級 | 主要受化學干擾和基體效應的影響 | 較窄，適用於低至中濃度樣品 | 相對較便宜 | 適用於需要定量分析特定元素的場合 |
| 感應耦合等離子體原子發射光譜（ICP-AES） | 利用感應耦合等離子體激發樣品，產生髮射光譜，透過分析這些光譜來量化元素 | 通常比AAS更敏感，檢出限在ppb級 | 受基體效應、光譜干擾和非光譜干擾的影響 | 線性範圍廣，適合各種濃度級別的樣品 | 價格中等 | 適合廣泛的元素分析，尤其是中至高濃度樣品 |
| 感應耦合等離子體質譜（ICP-MS） | 與ICP-AES類似，但是使用質譜儀來檢測等離子體中的離子，以測定元素和同位素 | 擁有最低的檢出限，能達到ppt級 | 受基體效應和多重電荷離子干擾 | 線性範圍極廣，適用於從超低到高濃度的樣品 | 價格最高，但提供最佳的靈敏度和精度 | 適合對超痕量元素和同位素進行精確分析 |
至於ICP-AES和ICP-OES，他們實際上是同一種技術的不同稱謂，都指的是利用感應耦合等離子體作為光源，用於進行原子發射光譜分析的技術。實際應用中，這兩個術語可以互換使用。
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